温度对CMP抛光的影响有哪些
化学机械抛光(CMP)中,抛光垫大面积接触工件,提高了一致性和抛磨效率,然而在抛光过程中,抛光垫也会不断地磨损和消耗,各种因素都会影响抛光垫的性能和使用寿命,其中直接的因素就是温度。
在化学机械抛光过程中,抛光垫的温度通常会在两种情况下升高。一个是固体和固体之间的物理摩擦接触。摩擦力引起的温度上升可能导致抛光垫的局部温度上升到30℃。当抛光在液压释放模式下进行时,热量释放将被释放。另一种是抛光液和抛光垫之间的化学反应释放的热量引起的温度升高。当聚氨酯抛光垫的温度超过一定限度时,抛光垫的聚氨酯材料的机械性能、物理性能和化学性能会暂时或一直发生变化。
在化学机械抛光过程中,温度也是影响抛光质量的重要因素之一。温度会随着抛光的研磨过程而变化。温度升高对CMP抛光有两种影响。温度升高加速了CMP抛光液的化学活性和纳米颗粒在抛光液中的运动,从而加快了材料的去除速率。另一方面,温度升高会软化抛光垫的表面,从而降低材料去除速率。因此,研究化学机械抛光中的温度场有助于揭示抛光机理,获得稳定的抛光速率,提高抛光零件的表面质量。
一方面,温度可以加速化学反应的进程;另一方面,温度的升高会改变抛光垫和抛光液的性质,温度升高抛光垫会变软,使抛光颗粒表面的表面活性剂失效,从而加速颗粒的团聚,造成化学机械抛光的破坏。根据我们的研究和计算,精抛光过程中温度变化很小,大的温升基本上对抛光过程影响不大。至于粗抛光过程中的温升,接触机理更为复杂,有待进一步解决。
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