吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

1.分散性好。

2.粒径分布广泛：10-150nm。

3.高纯度，有效减小对电子类产品的沾污。

4.适合与各种抛光垫、合成材料配合抛光使用。

5.PH、粒径、稳定离子等可以根据客户定制(10-150 nm)。

6.经特殊工艺合成的化学机械抛光液，纳米颗粒呈球形，单分散，大小均匀，粒径分布窄，可获得高质量的抛光精度。

抛光过程中具有：

1.高抛光速率，利用大粒径的胶体二氧化硅粒子达到高速抛光的目的。（可以生产150 nm）。

2.高平坦度加工，本品抛光是利用SiO2的胶体粒子，不会对加工件造成物理损伤，达到高平坦化加工。

抛光过程后具有：

1.精度可以达到纳米级。

2.划伤和挖伤可以达到0/0。

Slurry适用于集成电路当中的铜互连工艺制程中铜的去除和平坦化。具有高的铜去除速率，碟型凹陷可调，低缺陷等特性。可应用于逻辑芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量产使用。清除集成电路中铜抛光后表面的抛光颗粒和化学物残留，以防铜表面腐蚀，降低表面缺陷。

以及用于单晶硅、多晶硅的研磨抛光，存储器制程和背照式传感器(BSI)制程等。可定制选择稳定的选择比，去除速率，对氧化物/氮化物的选择比。硅精抛液系列具有低缺陷的优点。BSI抛光液系列具有理想的硅和二氧化硅去除速率和选择比。涵盖TSV铜/阻挡层Slurry，TSV晶背铜/介质层抛Slurry、TSV晶背硅Slurry、TSV晶背硅/铜Slurry等。具有高去除速率、选择比可调等优点。

以及集成电路制造工艺中浅槽隔离的抛光等等。

使用方法：

1.使用前清理瓶口，以防污染发生。

2.使用时，根据不同行业的需要可用去离子水加以稀释，调制不同浓度。

3.现场需保持清洁无扬尘，防止受到抛光液配制和使用过程遭到污染。

4.循环使用粘度增大时,应予以重新配制新的抛光液，以免损伤工件，降低良率。

储存方法：

1.保持室内阴凉。

2.避免敞口长期与空气接触。

3.贮存时应避免曝晒，贮存温度为5-35℃

4.低于0℃以上储存，防止结冰，在零度以下因产生不可再分散结块而失效。

价格实惠：

引进国外生产技术，其品质可以媲美进口的产品,有效的避免了进口产品其交货周期长，价格昂贵。

安全处置：

1.车间内必须保持良好的通风状况。

2.如与眼睛或皮肤接触，请用大量清水冲洗。

3.在使用时请勿进食或吸烟。

4.使用前可参阅安全技术说明书。

包裝方式：25KG/桶(也可依客户需求)

产品制造：品性依据ISO9001规范

保存期限：保质期为二年，建议在一年内使用。

保存条件：温度范围=5°C~35°C ，湿度范围<=70%

危险特征：产品本身没有刺激性，对人体无害。

废弃物处理：切勿将废弃抛光剂排放入下水道、水体或土壤，废置抛光液应符合当地环保标准来处理。

吉致电子研发团队--15年经验CMP抛光液配方工程师，为您攻克抛光难题！

无锡吉致电子科技有限公司

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