吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

 吉致电子抛光液----CMP技术简介

  CMP化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing）技术是现代工业制造中实现工件表面抛磨以及集成电路制造中晶圆表面全局平坦化的目前唯一技术。CMP工艺是通过化学和机械作用，完成工件表面的抛光。广泛应用于集成电路技术、晶圆芯片平坦化、航空航天材料、金属行业、光电行业的材料镜面抛光。

  按照被抛光的材料类型，具体可以划分为三大类：（1）衬底：主要是硅材料；（2）金属：包括Al/Cu金属互联层，Ta/Ti/TiN/TiNxCy等扩散阻挡层、粘附层；（3）介质：包括SiO2/BPSG/PSG等ILD（层间介质），Si3N4/SiOxNy等钝化层、阻挡层。

在CMP工作过程中，CMP用的抛光液中的化学试剂将使被抛光基底材料氧化，生成一层较软的氧化膜层，然后再通过机械摩擦作用去除氧化膜层，这样通过反复的氧化成膜-机械去除过程，从而达到了有效抛光的目的。

  在CMP材料细分占比当中，抛光液和抛光垫是最核心的材料，其他抛光材料还包括抛光头、研磨盘、检测设备、清洗设备等。

抛光液

  抛光液是影响化学机械抛光质量和抛光效率的关键因素，一般通过测定材料去除率（MRR）和表面粗糙度（Ra）的方法来评价抛光液性能优良程度。其组分一般包括磨料、氧化剂和其它添加剂，通常根据被抛光材料的物理化学性质及对抛光性能的要求，来选择所需的成分配置抛光液。

CeO2氧化铈抛光液——适合用于软金属、硅等材料的抛光，是应用最广泛的抛光液，被广泛用于手机屏幕、光学玻璃、液晶显示器和硬盘等产品的化学机械抛光中

Al2O3氧化铝抛光液——硬度较高成本较低，大多用于铝合金、不锈钢等金属材质以及蓝宝石衬底等。

SiO2氧化硅抛光液——粒径较小，高纯纳米级别，适用于集成电路半导体、蓝宝石、碳化硅衬底的抛磨。

金刚石抛光液——硬度很高，磨粒有棱角，适用于光学晶体、磁头、硬盘、超硬合金、陶瓷等硬质材料。

  根据工艺要求不同，抛光液还分为粗抛液、中抛液、精抛液。根据抛磨材料属性不同，需要调整和改进抛光液配方。

抛光垫

  在化学机械抛光过程中，抛光垫的作用主要有：

(1)储存抛光液，并将抛光液输送到抛光区域，以保证抛光能够连续均匀地进行；

(2)转移材料以去除所需的机械负荷；

(3)抛光过程中产生的副产物（氧化产物、抛光碎屑等）带出抛光区域；

(4)形成一定厚度的抛光液层，为抛光过程中发生化学反应和机械去除提供场所。

  抛光垫根据材料可以分为硬质和软质两类，硬质抛光垫可以较好的保证工件表面的平面度，软质抛光垫可以获得表面损伤层薄和表面粗糙度低的抛光表面。常用的硬质抛光垫有粗布垫、纤维织物垫、聚乙烯垫等，软质抛光垫有聚氨酯垫、复合抛光垫、绒毛布垫等。精加工表面使用精抛垫如阻尼布抛光垫等。

  目前在国家政策的扶持下CMP中低端领域中已基本完成了国外技术和产品的国产替代，但在高端设备、前沿技术领域中与国际巨头仍有较大的差距。继续深入研究CMP 技术，产出具有自主知识产权的关键材料、设备或工艺，实现高端CMP抛光材料的自主化技术和专利，降低购买国外抛光耗材的成本压力是我们所以抛光行业从业者努力和发展的方向。

吉致电子研发团队--15年经验CMP抛光液配方工程师，助您攻克抛光难题！

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